128层NAND Flash大战开打

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发表于 2019-11-22 17:59:10 | 显示全部楼层 |阅读模式
泉源:内容来自半导体行业观察综合,谢谢。
随着技能的进步,现在的NAND FLASH大战好像已经推进到了128层。
上个月初,美光宣布第一批第四代3D NAND存储芯片流片已经出样,全新的第四代3D NAND基于美光的RG架构,预计2020年美光第四代3D NAND闪存将开始商用。只管云云,美光告诫称,使用新架构的存储芯片将仅用于特定应用,因此来岁其3D NAND资本淘汰将微乎其微。
美光第四代3D NAND使用多达128层,并在阵列计划方法上继续使用CMOS。新型3D NAND存储器改变了用于栅更换的浮栅技能,以试图低沉尺寸和资本,同时进步性能,并简化向下一代节点的过渡。该技能完全由美光公司开发,没有英特尔任何投入,因此它很大概是针对美光公司最渴望针对的应用量身定制。
美光第四代128层3D NAND乐成流片表明,该公司的新计划不但仅是一个概念。同时,美光还没有筹划将其全部产物线都转换为最初的RG工艺技能,因此公司范围内每比特资本来岁不会明显下降。只管云云,该公司答应在厥后续RG工艺节点广泛摆设之后,到2021财年将真正开始低沉资本。

SK海力士亦步亦趋

作为举世第二大的NAND FLASH供应商,韩国厂商SK海力士也不让美光独美。本周,他们宣布开始采样128层3D NAND闪存产物,该产物不久将开始出现在终极用户装备中。一年前,他们推出了96层第5代3D NAND产物,但低价促使SK海力士淘汰了产量,而第4代72层3D NAND仍旧是其紧张闪存产物。SK Hynix早在6月宣布其128层3D NAND产物已从开发转向批量生产,现在已被整合到SSD和UFS模块中,并已向紧张客户提供样品。
据报道,96层第5代3D NAND产物代表了SK海力士一项重大技能进步,它转向了更麋集的“外围cell”布局,而且每个芯片的IO速率大大进步。外围布局的重大变革足以使SK海力士将其闪存定名为“ 4D NAND”。短期内,SK海力士筹划将新一代3D NAND引入利润率最高的细分市场,而其更成熟的72层和96层工艺将继续致力于对资本更敏感的产物。
客户端SSD市场上,OEM厂商现在正在测试SK海力士最新一代M.2nvme固态硬盘,其容量高达2TB,功耗约3W,而使用96L TLC的上一代固态硬盘为6W。SK Hynix预计,这些固态硬盘将在2020年上半年开始出现在笔记本电脑上。SK海力士的NVMe SSD控制器仍在使用PCIe 3.0而不是PCIe 4.0,思量到它们专注于主流细分市场和能效,这并不令人惊奇。
而128层3D NAND将须要更长的时间才气进入企业存储市场。SK海力士筹划以EDSFF E1.L尺寸提供高达16TB的容量,而且筹划在2020年下半年大规模生产这些驱动器。与客户端NVMe SSD一样,SK海力士仍在使用PCIe 3.0而不是PCIe 4.0,但SK海力士筹划支持最新NVMe 1.4协议。企业SSD市场是SK海力士关注的重点范畴。

三星是向导者?

其着实这两个厂商之外,另有三星在前面领先。
在本年八月,三星宣布推出首个100+层且单栈(Single-stack)计划的新的V-NAND。
据三星先容,三星电子第六代 V-NAND 拥有快速数据传输率,运用公司独特的制造上风,将 3D 存储推向新高度。
新款 V-NAND 运用三星电子有的“通道孔蚀刻”技能,向前代 9x 层单堆叠架构增长了约 40% 单元。这是通过构建由 136 层构成的导电模具堆栈,然后垂直自上而下穿过圆柱孔,形成同一的 3D 电荷撷取闪存 (CTF) 单元实现的。
随着每个单元区的模具堆栈高度增长,NAND 闪存芯片更容易发生错误和读取延长。为降服这些限定,三星电子接纳了速率优化的电路计划,使其可实现最快的数据传输速率,写入利用的数据传输速率低于 450 微秒(μs),读取速率低于 45μs。与上一代产物相比,其性能进步 10% 以上,而能耗低沉 15%
有了这种速率优化的计划,三星电子将只需安装三个现有堆栈,便可以大概提供高出 300 层的下一代 V-NAND 办理方案,而不影响芯片性能或可靠性。
别的,打造 256Gb 芯片密度所需的通道孔数量已从上一代产物的超 9.3 亿低沉至 6.7 亿孔,使得芯片尺寸更小,加工工序更少。因此,生产服从提升超 20%。
三星电子运用高速率和低功率特性,不但筹划将公司的 3D V-NAND 产物应用拓展到下一代移动装备和企业级服务器中,也筹划将其拓展到汽车市场中,高可靠性对该市场尤为紧张。
在本日推出 250GB SSD 后,三星电子筹划于本年下半年推出 512Gb 3-bit V-NAND SSD 和 eUFS。别的,公司预计从来岁起,将在其平泽(韩国)园区扩大高速大容量第六代 V-NAND
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来源:彬州市
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发表于 2019-11-22 18:00:07 | 显示全部楼层
紫光在量产64层3D闪存颗粒,明年试产128层3D闪存颗粒,直接跳过72层和96层。
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发表于 2019-11-22 18:00:07 | 显示全部楼层
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